Abstract FR:

Nous presentons dans ce memoire la mise au point et la realisation d'un dispositif experimental pour les mesures du pouvoir thermoelectrique (pte) et de la conductibilite thermique de petits echantillons. La technique de mesure utilisee a necessite la determination des pte relatif et absolus d'un nouveau thermocouple de reference forme d'un fil d'or de diametre 17,5 micrometres et d'un fil d'aluminium-silicium de diametre 25 micrometres. Nous avons ainsi montre que le pte de au ne peut pas etre represente entre 80 et 350 k par un simple terme de diffusion, puisque le terme de phonon drag contribue a 100 k a plus de 40% de la valeur du pte total. Entre 80 et 350 k, le pte de l'or est bien represente par une formule analytique simple et son utilisation pour l'etude des supraconducteurs a htc est particulierement interessante. La realisation du contact thermique et electrique des thermocouples directement sur des echantillons de petites dimensions comprend une etape de metallisation et de gravure de deux electrodes. Pour mesurer les tensions thermoelectriques, nous avons mis au point un ensemble de deux nanovoltmetres comprenant des hacheurs a transistors asga et fonctionnant dans l'azote liquide. Ce dispositif permet de mesurer des tensions continues inferieures aux microvolts, avec une precision de quelques pourcents. L'ensemble de ce dispositif est utilise pour determiner les proprietes de transport d'une ceramique, d'une ceramique texturee sous champ et d'un monocristal d'yba2cu3o7-x. Les echantillons presentent tous les trois une resistivite lineaire en t. Les pte de la ceramique et du monocristal sont proches l'un de l'autre et de valeurs negatives entre tc et 300 k; ces valeurs correspondent a un x d'environ 0,06. L'anisotropie du pte de la ceramique texturee a ete determinee et vaut 7 a 300 k