Abstract FR:

Ce travail est consacre au depot basse temperature de couches d'oxyde de silicium sur des substrats de silicium et d'alliages silicium-germanium dans un reacteur helicon (13,56 mhz). Des couches de sio 2, proches de la silice thermique, sont obtenues en utilisant un tres faible pourcentage de tetraethoxysilane (teos). Une analyse du plasma a ete effectuee par spectroscopie d'emission optique et sonde de langmuir pour etudier les perturbations eventuelles de la polarisation radiofrequence du substrat et de la pression sur la decharge. L'ellipsometrie spectroscopique uv-visible, la spectroscopie infrarouge en transmission et l'analyse xps ont ete utilises pour l'etude structurale des couches de sio 2. Nous avons distingue, pour cette etude, le procede d'oxydation de celui de depot plasma et nous avons mis en evidence qu'il peur exister un lien entre ces deux phenomenes lors de la croissance de l'oxyde sur un alliage silicium-germanium. Nous avons egalement optimise nos conditions de depot en vue d'obtenir une interface oxyde/substrat de bonne qualite electrique et pour constituer une solution possible au probleme de l'oxydation directe de sige. Enfin, nous nous attaches a etablir une correlation entre les resultats d'analyse structurale et electrique.