Abstract FR:

Nous avons etudie la preparation de la surface du phosphure d'indium inp(100) ainsi que la formation des interfaces sb-inp. Les techniques utilisees sont la spectroscopie d'electrons auger (a. E. S. ), la spectroscopie de pertes d'energie caracteristiques (e. L. S. ), la spectroscopie du pic elastique (e. P. E. S. ) et la spectrometrie de masse. Une analyse detaillee des resultats a permis des interpretations quantitatives des evolutions de l'etat de la surface lors des differents traitements. L'etude des surfaces inp(100) nettoyees chimiquement puis bombardees sous ultra-vide par un faisceau d'ions d'argon ou d'azote a revele l'important defaut de ce mode de preparation: l'appauvrissement des surfaces en elements 5 ce qui induit la precipitation d'indium metallique. Le recuit apres bombardement de ces surfaces conduit a une coalescence de l'indium metallique en surface. Afin de remedier aux defauts provoques lors de la preparation sous vide des surfaces inp(100), nous avons condense de l'antimoine (element 5) pour compenser les lacunes de phosphore et saturer les liaisons pendantes. L'interaction forte entre l'indium et l'antimoine a ete montree lors de la formation de l'interface sb-in. Lors des depots de sb sur inp(100) a temperature ambiante et a 600 k, nous avons constate la disparition de l'indium metallique en surface pour former une couche de compose insb. Un tel traitement, a l'aide de l'antimoine, passive les surfaces inp(100) et leur procure une grande stabilite thermique (500#oc). De telles proprietes peuvent etre a l'origine de developpements technologiques innovants