Abstract FR:

Ce memoire porte sur l'etude experimentale et theorique des proprietes electroniques de puits quantiques fortement contraints inas sur inp, elabores par la methode aux hydrures (h. V. P. E. ) et en accord de maille gainas sur inp, elabores par la methode aux organometalliques. L'objectif de ce travail est de determiner, a l'aide de mesures electriques capacite tension (c(v)) et d. L. T. S. (spectroscopie transitoire des niveaux profonds), les caracteristiques electriques telles que la concentration, la nature des centres profonds presents dans le materiau, la valeur de la discontinuite de la bande de conduction des heterostructures. Pour cela nous avons exploite la modelisation des profils de concentration de porteurs libres de puits quantiques, mesures par c(v). La prise en compte de l'extension des fonctions d'onde electronique dans les barrieres et de l'effet des contraintes ameliorent l'analyse. Nous avons introduit la notion de degres de raideur des interfaces entre le materiau puits et barrieres. Une forme simplifiee trapezoidale est alors consideree pour le potentiel definissant le puits. La modelisation numerique des resultats experimentaux c(v) obtenus sur les systemes gainas/inp donne une valeur de la discontinuite de la bande de conduction en bon accord avec les valeurs trouvees dans la litterature. Une etude prealable du materiau barriere inp, par mesures d. L. T. S. , a permis de realiser l'analyse de l'influence des conditions de croissance (temperature de croissance, nature des precurseurs) sur l'incorporation des impuretes dans les materiaux