Abstract FR:

Une jonction tunnel magnetique est une heterostructure formee de deux couches de metaux ferromagnetiques separees par une barriere isolante suffisamment fine pour autoriser le transport electronique perpendiculaire aux couches par effet tunnel. Un changement d'orientation relative des aimantations des deux couches ferromagnetiques, obtenu en appliquant un faible champ magnetique, entraine une variation de resistance electrique de la jonction qui peut atteindre plusieurs dizaines de % a temperature ambiante. Cet effet de magnetoresistance tunnel (mrt) devrait permettre de realiser, dans un avenir proche, des reseaux de haute densite de memoires magnetiques non-volatiles (mram). D'un point de vue plus fondamental, la variation de la mrt en fonction de certains parametres - notamment la tension - renseigne sur le caractere (s ou d) des porteurs qui participent a l'effet tunnel et sur l'origine microscopique de leur polarisation de spin. Nous discutons ici des resultats de mrt obtenus sur differents types de jonctions, principalement des jonctions a electrodes de metaux de transition (co, nife) et a barriere d'alumine, deposees par pulverisation cathodique, et des jonctions epitaxiales a electrodes de perovskite magnetique la#0#. #6#7sr#0#. #3#3mno#3, deposees par ablation laser. La mrt des premieres peut etre decrite en supposant que les electrons participant au courant tunnel sont des electrons a caractere s, partiellement polarises en spin par leur hybridation avec des electrons d localises. La tres forte mrt (450%) observee dans les secondes a 4. 2 k est compatible avec l'hypothese d'un transport assure par les electrons d'une bande d unique entierement polarisee en spin. La variation en tension ou en temperature des proprietes de magnetotransport des deux types de jonctions indique toutefois le role preponderant des proprietes magnetiques et electroniques locales aux interfaces electrode ferromagnetique / barriere.