Abstract FR:

Cette these presente l'utilisation d'une technique tres particuliere: la recombinaison dependante du spin (rds). Cette technique a ete appliquee a deux systemes: 1) des couches de silicium amorphe hydrogene et ses alliages avec le carbone (silicium amorphe methyle obtenu par decharge luminescente en regime basse puissance) avec des porteurs photo-crees; 2) des diodes p-n au silicium cristallin et des photodiodes p-i-n au silicium amorphe ou les porteurs sont injectes a partir des electrodes. Dans les deux cas, nous avons montre qu'il y a pompage d'etats de spins triplets resultant des regles de selection de spin dans la recombinaison. Dans cette these la rds est obtenue, non pas par saturation de la raie electronique (rds resonnant), mais par l'application d'un faible champ magnetique (magneto-resistance de spin)