Abstract FR:

Cette étude porte sur l'effet photoréfractif dans le phosphure d'indium dopé au fer (InP:Fe). Les gains optiques mesurés en absence de champ électrique appliqué et à la longueur d'onde de 1,06 micromètre sont plus faibles que les valeurs calculées avec un modèle qui tient compte d'un seul niveau d'énergie (celui du fer) dans la bande interdite. Nous contribuons à déterminer l'origine de cette réduction qui est attribuée dans la littérature, soit aux transitions indirectes liées à l'état excité du fer soit à d'autres niveaux superficiels. Dans un premier temps, nous mettons en évidence la nécessité d'effectuer des mesures en fonction de la température et à plusieurs longueurs d'onde (1,06 ; 1,32 et 1,535 micromètre) afin d'établir les rôles respectifs des différents niveaux d'énergie dans les échantillons étudiés où l'effet photoréfractif est dominé par les trous à température ambiante. L'étude de la constante de temps d'effacement du réseau a permis de déterminer les concentrations en ions Fe2+ et Fe3+. Nous comparons ensuite les courbes du gain mesuré pour les trois longueurs d'onde en fonction de la température et du pas avec les simulations effectuées à partir des différents modèles comprenant soit le niveau excité du Fe2+*, soit un second niveau placé près de la bande de conduction puis, près de la bande de valence. Dans les échantillons étudiés, ces différentes comparaisons ont montré qu'à basse température l'effet photoréfractif est influencé par un second niveau situé près de la bande de valence alors qu'à température ambiante il faut à la fois tenir compte du second défaut et de l'état excité du fer