Abstract FR:

Le pseudobinaire hg1x znxte (mzt) est un materiau semiconducteur tres prometteur pour la realisation de detecteurs infrarouge, principalement dans la gamme de longueur d'onde correspondant a la fenetre de transmission atmospherique comprise entre 8 et 12 m. Le compose mzt possede en effet une meilleure stabilite structurale que hg1xcdxte (mct) car la liaison hgte est renforcee du fait de l'alliage avec znte. Le developpement d'une technologie de composants sur mzt impose de savoir realiser des interfaces de haute qualite et le travail presente constitue l'une des premieres etudes realisees afin d'obtenir une bonne connaissance des proprietes d'interface du materiau mzt. Differents traitements de passivation de surface sur mzt massif obtenu par croissance thm ont ete appliques: d'une part, des depots directs de dielectriques (zns, sio) ont ete realises sous ultravide et d'autre part, la croissance une couche anodique native a ete obtenue par une methode electrochimique (oxydation, sulfuration) sur des surfaces prealablement decapees mecanochimiquement. Les couches de surface ont ete analysees au moyen de differentes methodes telles que la microsonde electronique, la sonde ionique, l'analyse electrochimique et par xps (x-ray photoemission spectroscopy). Des mesures d'admittance sur des structures metal-isolant-semiconducteur (mis) ont permis d'atteindre les principales proprietes des interfaces elaborees (densites de charges fixes, d'etats lents, distribution des etats rapides d'interface dans la bande interdite). Les passivations par depot et par oxydation anodique ont conduit a des interfaces ayant de bonnes caracteristiques, comparables voire superieures dans certains cas, a celles des interfaces realisees sur mct