Abstract FR:

L'objet de cette these est l'amelioration des caracteristiques electriques d'un transistor bipolaire a emetteur en silicium amorphe hydrogene dope au phosphore et la modelisation du courant base d'une telle structure. Ayant analyse et reussi a discriminer les points technologiques importants influencant le comportement electrique, en particulier la qualite des oxydes d'isolation et de la base monocristalline avant depot et la conductivite de la couche de a-si:h, nous avons pu ameliorer le procede de realisation. Ainsi nous avons obtenu de meilleures performances electriques des transistors, tout particulierement un gain en courant de l'ordre de 1400 pour un nombre de gummel dans la base de 2,4. 10#1#1 s. Cm##4 et un coefficient d'idealite de l'ordre de 1,5 pour le courant base de l'heterojonction emetteur-base. Pour ce faire, nous avons fait appel a un modele semi-analytique du courant base du transistor qui a permis d'obtenir une bonne concordance entre les courants simules et experimentaux. L'analyse des effets des etats d'interfaces a l'heterojonction emetteur-base sur le courant i#b, et donc sur le facteur d'idealite, a permis de confirmer un certain nombre de resultats electriques et donc d'analyser l'influence des parametres technologiques critiques sur les performances du composant