Stabilisation de frequence de lasers a semiconducteurs sur des raies d'absorption moleculaires autour de 1,5 microns
Institution:
Paris 11Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Cette these porte sur la stabilisation de frequence de diodes laser sur des transitions moleculaires autour de 1,5 micron. Les deux premiers chapitres portent d'une part sur les references moleculaires disponibles et d'autre part, sur les methodes les plus couramment utilisees pour une stabilisation de frequence. Les spectres experimentaux de l'ammoniac et de l'acetylene sont presentes. Le chapitre iii decrit la stabilisation d'un laser a cavite etendue sur une raie d'absorption de l'ammoniac sans modulation de frequence. La source realisee presente une largeur de raie de 60 khz et une stabilite de frequence de quelques 10##1#0 sur 10 s. Le dernier chapitre concerne la stabilisation de lasers dfb sur une transition d'acetylene 13, par une methode de spectroscopie fm. Une modulation directe du courant a 350 mhz permet d'asservir la frequence au sommet de la raie d'absorption. Des modules de 0,5 litre ont ete realises et ont presente une stabilite de frequence de l'ordre de 10##9 jusqu'a 1000s