Abstract FR:

L'objectif des travaux decrits dans ce memoire est de rechercher le lien entre les proprietes de recombinaisons dans les heterostructures de type gaas/alas et la structure de l'interface. L'observation de variations des energies de confinement dans les puits quantiques directs gaas/(al,ga)as lies aux choix des temperatures de croissance amene une interrogation sur la nature des processus qui entrainent l'introduction d'un desordre aux interfaces (segregation verticale ou demixion d'alliage) et conduise a approfondir l'etude de puits quantiques a double barriere gaas/alas/(al,ga)as ou les epaisseurs de couches d'alas et de gaas sont reduites a quelques monocouches. Les etudes experimentales (excitation de photoluminescence, photoluminescence resolue en temps, photoluminescence sous pression hydrostatique) associees a une modelisation en fonction enveloppe demontre la diversite des alignements des niveaux confines et apporte des informations sur la localisation des electrons dans une ou deux monocouches d'alas. Ces experiences expliquent les processus de transferts entre les niveaux associes aux minima x#x#y et x#z ou de capture sur les donneurs ainsi que le phenomene de couplage entre les etats de gaas et x d'alas. L'existence d'un confinement lateral est demontree lorsque ces memes structures sont elaborees sur surfaces vicinales. Dans ces conditions l'analyse des recombinaisons de structures ou la couche d'alas est reduite a une monocouche revele l'action des fluctuations des largeurs de terrasse sur les proprietes de recombinaisons