Abstract FR:

La determination des structures cristallographiques des surfaces de semiconducteurs joue un role preponderant dans la comprehension de leurs proprietes physiques. Lors de la croissance par jets moleculaires de l'alliage ternaire (in,ga)as contraint sur gaas(001), un phenomene de segregation de l'indium en surface se produit. La diffraction des rayons x en incidence rasante (dxir) s'est averee une methode experimentale puissante pour etudier les alliages de surface formes. Des mesures de dxir ont permis de reveler un ordre chimique des cations dans la maille unite de la surface reconstruite (2 3) caracteristique de ce systeme. Des surfaces incommensurables reconstruites (2 n), avec n<3 ou n>3 ont pu etre stabilisees en deposant une fraction de monocouche d'inas sur une surface de gaas reconstruite (2 4) ou (c4 4). L'ecart a la commensurabilite est decrit en introduisant une distribution statistique de fautes dans l'arrangement structural de reference (2 3) et peut etre ainsi relie a la concentration de surface de l'indium. Pour rendre compte de l'intensite diffusee par ces modeles structuraux desordonnes, nous avons applique une approche theorique qui traite l'enchainement aleatoire d'objets decrivant les surfaces (in,ga)as reconstruites (2 n). Le desordre structural unidimensionnel est bien decrit par des sequences de blocs reconstruits constituants de la maille de surface (2 3) in 2 / 3ga 1 / 3as/gaas(001) et rend compte de la forme des profils d'intensite mesures. Dans le cas de l'alliage in 0 , 5 3ga 0 , 4 7as adapte sur inp(001), le modele structural de la surface reconstruite (2 4) a aussi ete determine. Il presente des elements structuraux communs aux surfaces (2 n) commensurables ou non. Toutefois, l'ordre chimique decele en surface est different de celui deja observe : le dernier plan de cations, ordonne, n'est pas enrichi en indium par rapport au volume alors que l'avant dernier l'est.