Biexcitons pieges dans des defauts d'interface et capture des excitons dans des puits quantiques
Institution:
Paris 6Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Le sujet de cette these porte sur l'etude theorique des excitons et des biexcitons dans des puits quantiques algaas/gaas. Dans le premier chapitre, j'analyse l'exciton dans un puits quantique peu profond par une approche variationnelle. Ainsi, je calcule l'energie de liaison et le rayon de bohr en fonction du pourcentage d'aluminium de la barriere. L'effet d'un champ electrique longitudinal est egalement considere. Le deuxieme chapitre concerne la capture d'un exciton de la barriere vers un exciton d'un puits quantique peu profond via l'emission d'un phonon longitudinal optique. L'approximation des fonctions d'onde du puits par des fonctions 2d mene a un calcul entierement analytique des temps de capture. Il en ressort que la capture d'un exciton de la barriere se fait plus efficacement vers les etats du continuum, suivie par celle vers les etats 1s et 2s. La capture vers le continuum est grosso modo un ordre de grandeur plus rapide que vers l'etat 1s. Le meme ordre de grandeur separe les etats 1s et 2s. Dans le dernier chapitre, j'examine le cas des excitons et des biexcitons lies aux defauts d'interface de puits quantiques profonds et etroits. Les quantites calculees sont les extensions laterales, <|z#e z#h> et les energies de liaison. Les variations des ces quantites sont analysees en fonction de la largeur du puits, du rayon du defaut et d'un champ electrique. Je montre que l'energie de liaison excitonique est reliee a son extension laterale pour l'exciton libre ainsi que pour l'exciton lie. Par contre, l'energie de liaison biexcitonique semble etre reliee a la valeur moyenne <|z#e z#h|> pour le biexciton libre ainsi que pour le biexciton lie. La comparaison avec un modele classique confirme une dependance lineaire avec <z#e z#h|> dans le regime du confinement fort.