Etude de films minces de vanadates : contribution à la résolution de la structure et aux propriétés de transport
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Abstract EN:
Since many years, vanadate perovskite thin films are widely studied because of the broad spectra of functional properties they exhibit. Strongly related to the structure, the understanding of these properties requires more precise structural determination. The main purpose of this work is to present the synthesis, the in-depth structural characterization and the physical properties study of LaVO3 thin films and LaVO3/SrVO3 superlattices thin films. The recent progresses in X-ray diffraction allow to establish the methodology to refine the structure of a thin film by using the results obtained on LaVO3 thin films. Focusing on physical properties in the LaVO3/SrTiO3 system the observations underline an obvious substrate contribution to the transport properties. However, by inserting SrVO3 layers in the system, making LaVO3/SrVO3 superlattices, the substrate contribution can be minimized and the results lead to a 2D conduction with interfaces effects.
Abstract FR:
L'étude des perovskites vanadates, AVO3, synthétisées sous forme de films minces suscite depuis de nombreuses années un grand intérêt tant ils présentent un large spectre de propriétés fonctionnelles. Ces propriétés, souvent liées à la structure de ces matériaux, nécessitent une détermination structurale de plus en plus précise. Ce travail de thèse présente la synthèse, la caractérisation approfondie de la structure et l'étude poussée des propriétés de transport de films minces du composé LaVO3 et d'empilements périodiques plus complexes formés de couches des composés LaVO3 et SrVO3. Les développements récents de la diffraction des rayons X ont permis, après une analyse fine des résultats obtenus sur des films minces de LaVO3, d'établir une méthodologie ouvrant la voie vers la résolution de la structure complète d'un film mince. Concernant les propriétés de transport, ce travail a permis de conclure que le substrat contribue fortement aux propriétés électroniques du système LaVO3/SrTiO3. L'insertion de couches du composé SrVO3 dans le système permet néanmoins de minimiser la contribution du substrat et met en évidence une conduction quasi-bidimensionnelle présentant des effets d'interfaces.