Abstract FR:

Les diverses techniques de la microscopie electronique a transmission ont ete mises en uvre pour etudier les proprietes structurales du silicium polycristallin, materiau d'un usage croissant dans ses applications solaires et electroniques. Les procedes standard de reperage des directions cristallographiques, utilisant les angles d'inclinaison de la platine porte-objet sont generalement limites en precision. Une analyse fine des diagrammes de diffraction electronique, couplee a un traitement statistique des resultats, a permis de montrer que l'orientation relative de deux grains adjacents peut-etre determinee avec une incertitude d'une minute d'arc. Outre sa precision, cette technique presente l'interet d'etre adaptable sur un systeme informatique afin d'etre automatisee. L'oxydation thermique du silicium est une operation courante dans la fabrication des dispositifs. Nos observations sur deux types de materiaux mettent en evidence une forte relation entre la morphologie des interfaces et la qualite cristalline des substrats. Dans le volume des materiaux, une attention particuliere est portee a l'identification des defauts. Il ressort de ces experiences qu'a l'issue de recuit, les mecanismes de segregation et de precipitation des impuretes ne donnent pas d'effets observables dans des structures comportant une forte densite de macles (111)#3, (211)#3 et de defauts d'empilement