Abstract FR:

Ce travail concerne l'élaboration par pulvérisation cathodique de films minces de PbZrxTi1-xO3 (PZT) dans des conditions compatibles avec une intégration dans les procédés actuels de la micro-électronique. L'objectif final était la réalisation de deux nouveaux dispositifs à partir de films à gradient de composition et à partir d'hétérostructures manganite-ferroélectrique. Les conditions de cristallisation " in-situ " à 500ʿC du PZT sur LaxSr1-xMnO3 ont été déterminées pour réaliser un dispositif à effet de champ. En utilisant une couche tampon d'oxyde de titane, la cristallisation " in-situ " à 500ʿC et le contrôle de l'orientation cristallographique du PZT ont été possible sur silicium recouvert de platine. Les propriétés électriques des films ont été étudiées. Pour les films à gradient de composition, l'existence du gradient ne semble pas suffisante pour observer un décalage vertical du cycle d'hystérésis qui aurait pour origine des courants de conduction asymétriques.