Abstract FR:

Cette thèse est consacrée à l'étude de deux étapes de gravure par plasma intégrés à de étapes technologiques importantes dans la fabrication des circuits intégrés. La première concerne la réalisationde zones d'oxydes de silicium enterrées, qui permettent d'isoler électriquement les zones actives des composants. L'oxyde de silicium croît dans une tranchée gravée dans le silicium. Les zones actives sont alors protégées par une couche de nitrure de silicium, déposée sur une couche d'oxyde tampon. Le programme mis au point permet de graver sur un même équipement ces deux couches puis de réaliser la tranchée dans le silicium. Le nitrure et le silicium sont gravés dans un plasma de SF6, et une recette de gravure de l'oxyde de silicium dans un plasma de CF4 a été développée pour remplacer la gravure humide. Les caractéristiques électriques des composants fabriqués ont été détériorées lors de la mise en place de ce nouveau programme de gravure, et les condition de gravure du silicium ont dû être ajustées pour compenser la différence de profil observée. La seconde étude concerne la gravure du premier niveau d'interconnexions d'un procédé. Ce niveau métallique est composé d'une couche de WTi sur laquelle est déposée une couche d'AlCu. Sous ces couches métalliques, une fine couche d'oxyde protège les bandes de polysilicium. L'AlCu est d'abord gravé par plasma Cl2/BCl3/N2, puis le WTi est gravé par voie humide dans une solution de péroxyde d'hydrogène. La sélectivité est donc très importante. Le but de cette étude a été de mettre au point un programme permettant de graver la couche de WTi par plasma dans le réacteur T. C. P. Sur lequel la couche d'AlCu est gravée.