Abstract FR:

Nous rapportons les premières observations expérimentales des spectres RMN du Phosphore dans le semi-conducteur Si:P au voisinage de la concentration nc de la transition métal-isolant. Ces mesures nous permettent d'en déduire la répartition de l'aimantation électronique dans le milieu. Dans le régime métallique, une perte progressive du signal apparaît lorsque l'on se rapproche de nc. La susceptibilité des électrons couplés aux sites observés suit une loi de Pauli, et la relaxation nucléaire à un comportement de Korringa. La comparaison avec les résultats de RPE montre que pour des concentrations inférieures à 3 nc, la dépendance en température de la susceptibilité macroscopique est associée à des moments électroniques localisés, qui coexistent avec les électrons faiblement corrélés de la bande de conduction. Dans le régime isolant pour T = 4,2 K, nous observons encore quelques sites de Phosphore, correspondant à de faibles déplacements de la fréquence de résonance, ce qui montre que la distribution de l'aimantation a encore un caractère très inhomogène.