Abstract FR:

Ce travail est consacre a l'etude des chalcogenures de plomb ternaires pb#1#-#xsn#xse et pbse#1#-#xte#x, materiaux semiconducteurs a faible largeur de bande interdite adaptes a la fabrication des dispositifs ir. En premier lieu, une mise au point bibliographique decrit les chalcogenures de plomb sur le plan fondamental (structure cristalline, proprietes electriques) et applique (detecteurs, diodes lasers). Une contribution a l'etude physicochimique de ces systemes est alors donnee et situee dans le cadre general des connaissances deja acquises: domaines d'existence des phases, conditions de stabilite des phases en vue de leur synthese, etc dans une troisieme partie, l'etude des phenomenes de condensation et d'evaporation est abordee dans le but de realiser des couches minces par une methode d'evaporation en paroi chaude. Cette etude permet de determiner a priori les conditions de depot, temperatures de la source et du substrat pour une vitesse de depot imposee, qui seront utilisees ensuite pour l'elaboration des couches minces. En dernier lieu, la partie experimentale de depot des couches minces est presentee. Ces couches sont deposees sur les substrats silicium et baf#2-caf#2-si, ce dernier permettant de realiser l'epitaxie. Les materiaux obtenus sont etudies du point de vue de leur morphologie, des proprietes de transport et des proprietes optiques. Ces dernieres nous ont permis de proposer des lois de variation du gap avec la temperature et la composition