Abstract FR:

Ce travail est consacre a l'elaboration d'heterostructures ii-vi/iii-v(100) (znte, znse#1#-#xte#x, mnse /gasb, inp, gaas) par epitaxie en phase vapeur a partir d'organometalliques. Les films minces obtenus sont etudies du point de vue structural (diffraction des rayons-x et microscopie electronique en transmission) et optique (photoluminescence). Les principaux phenomenes intervenant aux interfaces des materiaux ii-vi/iii-v(100) sont decrits et la relaxation des contraintes dans znte/iii-v(100) est plus particulierement observees par diffraction des rayons-x