Abstract FR:

L'etude de la passivation d'inp pour la realisation de transistor misfet nous a conduit a developper une technique de depot par plasma r. F. Dans le melange reactionnel pcl#3, h#2 et nh#3, d'une couche mince de nitrure de phosphore precedee d'un nettoyage in situ du substrat inp. Les caracterisations electriques c(v) et physico-chimiques (irtf, auger, ellipsometrie, meb) nous ont permis dans un premier reacteur a parois chaudes de determiner la faisabilite de ce procede. Les depots sont optimises dans un reacteur a parois froides en fonction des caracteristiques c(v), i(v), g(v) et la determination de la densite d'etats d'interface (methode de terman et d. L. T. S. ). La mesure des gaps optiques de ces nitrures est effectuee par spectroscopie d'absorption u. V. -visible. Les observations des proprietes electriques et physico-chimiques nous amenent a proposer un modele dualiste entre nettoyage et depot plasma en fonction de la composition de la phase gazeuse reactive