Abstract FR:

Ce memoire est une contribution a l'etude de l'activite electrique des defauts introduits par compression uniaxiale du compose ternaire hg#0#,#8cd#0#,#2te. La caracterisation electrique des echantillons references est faite a partir de la constante de hall r#h (t<100 k) et la mobilite hall (t<30 k). La mobilite de derive, confondue avec la mobilite hall, est supposee due a la diffusion par les impuretes ionisees. Le materiau de type p, non degenere, est fortement compense; les niveaux d'energie dont nous determinons la degenerescence et qui sont associes a la lacune de mercure une fois et deux fois chargee, se situent respectivement aux alentours de 8 et 50 mev au-dessus du haut de la bande de valence. Le materiau de type n est degenere; la caracterisation electrique des echantillons references est effectuee en utilisant les expressions de concentration et de mobilite que nous proposons. Ces echantillons s'averent etre egalement compenses. Apres deformation plastique, on observe une augmentation systematique de la resistivite avec le taux de deformation quel que soit le type du materiau. De plus, on note une diminution de r#h pour le type p alors que, dans le type n, |r#h| augmente pour une faible deformation puis diminue de facon continue lorsque le taux de deformation augmente. Un changement de signe de r#h a ete observe pour un echantillon de type n fortement dope depourvu de sources de dislocations. Lors de la deformation plastique d'un materiau de type n faiblement dope, des dislocations avec des atomes de cur differents (a ou b) ont ete introduites. L'evolution, avec la deformation, des caracteristiques electriques est identique quelque soit l'atome de cur. L'analyse des resultats experimentaux montre que la deformation plastique cree a la foie des defauts ponctuels donneurs et des dislocations. Ces dernieres ont un niveau d'energie proche du sommet de la bande de valence