thesis

Etude de couches minces de wti et wti-n obtenues par pulverisation r. F. Magnetron et utilisees comme barrieres de diffusion

Defense date:

Jan. 1, 1997

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Institution:

Nantes

Disciplines:

Abstract EN:

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Abstract FR:

L'etude de la decharge diode r. F. Planar magnetron dans l'argon et dans les melanges argon-azote a montre l'influence de la pression du gaz de decharge et de la polarisation du substrat sur les parametres electriques de la decharge. Plusieurs methodes d'analyse ont ete utilisees pour caracteriser les couches minces de wti et de wti-n obtenues par pulverisation d'une cible de w#7#0ti#3#0 (% at. ): la diffraction x (xrd), la spectroscopie de photoelectrons (xps), la spectroscopie auger (aes), la spectrometrie des particules (rbs), la mesure de resistivite par la methode a quatre pointes et la microscopie electronique a balayage (meb). Les proprietes de ces couches (la vitesse de depot, la resistivite electrique, la composition, les contraintes, la taille des cristallites et la structure) sont etudiees en fonction des parametres de depot. Les performances des couches de wti et de wti-n, de 100 nm d'epaisseur, comme barrieres de diffusion entre le cu et le si sont testees par recuit thermique rapide sous diverses atmospheres (vide, n#2, n#2+h#2, nh#3). Les performances des couches barrieres dependent aussi des parametres de depot. Les couches de wti-n sont les plus performantes et forment des barrieres de diffusion efficaces jusqu'a 800c