Abstract FR:

Etude de l'activation electrique des dopants (donneur p; accepteur b) et de l'elimination des defauts residuels dans si monocristallin par recristallisation epitaxique des couches, amorphisees par implantation ionique, et par recuit thermique rapide. Controle de la qualite des couches par retrodiffusion de rutherford et microscopie electronique en transmission et de l'elimination des defauts residuels par la methode dlts (niveau profond a 0,55 ev de la bande de valence). Confirmation de cette elimination des defauts par recuit thermique rapide apres fusion laser de si, avant et apres implantation ionique. Analyse du role electrique des defauts (contraintes thermoelastiques, association impurete-defaut primaire) dans si n, non implante, par des mesures dlts, capacite tension et courant-tension; reduction de leur concentration par depot d'une fine couche d'oxyde