Abstract FR:

Les couches minces de nitrure de silicium amorphe hydrogène sont obtenues par photosensibilisation assistée par le mercure a 254 nanomètre des gaz silane et ammoniac. Le principe de décomposition consiste à exciter des atomes de mercure dans l'état #3p#1 a l'aide de la raie 254 nanomètre émise par une lampe à vapeur de mercure basse pression. Ces atomes excites peuvent transférer leur énergie électronique par collision et dissocier les molécules de silane et d'ammoniac. Le schéma réactionnel de la phase gazeuse montre qu'interviennent non seulement l'état #3p#1 mais aussi l'état #3p#0 peuple par collision des états #3p#1 avec l'ammoniac. Dans une étude préliminaire nous avons détermine les sections efficaces de collision des molécules d'ammoniac et de silane avec les états excites #3p#1 et #3p#0 du mercure. L'évolution de la vitesse de dépôt et de la composition des couches en fonction du rapport des pressions partielles de silane et d'ammoniac montre que la probabilité de décomposition du silance augmente considérablement avec la dilution du silane. Nous avons développé un modèle cinétique de la phase gazeuse prenant en compte le transfert radiatif, les réactions en phase gazeuse et le transport des radicaux silyle et amidogène participant a la croissance du film. Les résultats ont été vérifiés expérimentalement a l'aide de plusieurs diagnostics. D'une part, nous avons mesuré la luminescence des excimeres hg-nh#3 par spectroscopie d'émission et le taux de consommation du silance par spectrométrie de masse, ce qui nous a permis de mettre en évidence que le vecteur de dissociation du silane est l'état #3p#0 du mercure