Abstract FR:

Nous presentons dans ce travail la mise au point des conditions de croissance epitaxiale permettant d'elaborer de maniere auto-organisee des nanostructures 1d et 0d a base de semiconducteurs ii-vi de la famille des tellurures. Les boites quantiques sont realisees en epitaxie par jets atomiques dans le systeme cdte/znte (desaccord de maille de 6,2%), et nous montrons que dans ce cas la croissance n'est pas de type stranski-krastanow. Ce sont des poches riches cd dans une matrice de znte qui sont responsables du comportement 0d. En particulier, l'emission excitonique d'une boite unique a pu etre observee. Les fils quantiques (cdte/cdmn (mg)te) sont realises en epitaxie par jets moleculaires sur des substrats vicinaux permettant de travailler en regime d'avancee de bords de marches : nous obtenons ainsi un superreseau de fils, dont l'inclinaison est determinante dans le caractere 1d du systeme. Un calcul complet de la structure de bandes est confronte aux resultat experimentaux. Une etude de spectroscopie optique sur l'ensemble de ces nanostructures est presentee. En particulier les experiences de temps de declin de la luminescence sont caracteristiques du type de systeme etudie : le comportement du temps de declin avec la temperature est la signature de la dimensionnalite de nos systemes.