Abstract FR:

Le but de ce travail a consiste en l'etude et la caracterisation d'heterostructures iv-vi (pbse, pbeuse) elaborees par epitaxie par jets moleculaires (ejm) sur substrats de silicium et fluorure de baryum. Apres avoir rappele les proprietes essentielles des materiaux massifs iv-vi et presente la technique d'ejm, l'optimisation des differentes etapes de la croissance du seleniure de plomb sur substrat de silicium (111) a ete abordee. Une etude comparative entre un traitement shiraki modifie et un traitement hf a ete realisee par rheed, aes et afm. Ainsi le traitement hf permet de conserver une qualite morphologique quasi-industrielle de la surface du silicium et d'autre part d'abaisser la temperature de desoxydation de plus de 200c par rapport a un traitement shiraki modifie. Nous avons developpe une etude des premiers stades de croissance de pbse, via une couche tampon de caf#2, par une approche experimentale (afm, xps) et theorique (correlation s). Cette etude a montre qu'une couche interfaciale de cafse (40% se) entre pbse et caf#2 permet une nucleation plus rapide de pbse par rapport a celle de pbse directement sur caf#2. Enfin, l'etude des couches de pb#1##xeu#xse sur substrat de baf#2 et de si (111) (0< x < 10%) rx, ddx, afm et rpe est egalement developpee.