Abstract FR:

Tout d'abord, quelques generalites concernant les proprietes physicochimiques des chalcogenures de plomb sont presentees. L'evaporation congruente observee sur les diagrammes de phases montre que la technique dite du mur chaud est une methode bien adaptee aux materiaux de type iv-vi. En effet, ces semiconducteurs sont sous forme de multicouches pour la detection infrarouge. Une approche thermodynamique concernant le processus de depot de films minces de pbse et pbte est decrite. Une extension du modele aux alliages ternaires est presentee. Une analyse critique de cette methode est egalement proposee. La description de l'appareillage utilise dans notre laboratoire montre l'interet d'une telle technique. Dans une derniere partie, les resultats experimentaux sont exposes. Des films de chalcogenures de plomb sont obtenus en utilisant les conditions optimum determinees a partir du modele de croissance. Ils sont caracterises par microscopie electronique a balayage, diffraction des rayons x, mesures de transport et analyse ir