Abstract FR:

Ce travail porte sur la caracterisation par resonance paramagnetique electronique des defauts ponctuels dans le semiconducteur compose gaas. Il concerne plus precisement ceux d'origine intrinseque qui peuvent etre potentiellement associes aux conditions de la croissance cristalline du materiau ou aux traitements technologiques ulterieurs des substrats semi-isolants. Cette approche conduit a etudier les effets de differentes perturbations physico-chimiques (deformation plastique, recuits thermiques sous pression controlee d'arsenic et irradiation par particules). Outre l'identification des defauts associes aux precedentes, en particulier de nouveaux complexes a symetrie trigonale, ce travail a permis de reveler l'existence d'un transfert de charge entre le donneur predominant lie a l'antisite anionique et differents accepteurs, procedant par saturation sequentielle en fonction de leur profondeur par rapport a la bande de valence. Ce mecanisme permet de comprendre la compensation electrique du gaas semi-isolant et pourrait fournir une explication alternative aux phenomenes de metastabilite