Interactions des atomes de fluor et des radicaux d'un plasma de CF4 avec une surface de polymère
Institution:
Université Joseph Fourier (Grenoble)Disciplines:
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Abstract FR:
Nous avons applique la technique de spectrometrie de masse par ionisation pres du seuil a la detection des radicaux issus d'un plasma micro-onde de cf 4. Nous presentons une methode de mesure de leurs concentrations absolues. Notre interet s'est focalise sur les atomes de fluor f, detectes pour la premiere fois grace a ce type de diagnostic. Les radicaux cf x (x = 1 3) sont egalement detectes. Dans nos dispositifs et conditions experimentales, nous avons pu etudier les interactions des radicaux avec une surface d'hexatriacontane (htc), modelisant le polyethylene. Le coefficient de collage des atomes de fluor sur ces surfaces a ete estime par des mesures de cinetique dans la post-decharge du plasma module. La concentration absolue de fluor moleculaire f 2 a ainsi pu etre determinee. Nous avons par ailleurs etudie la vitesse de gravure du polymere sous l'action des atomes de fluor ainsi que l'influence d'echantillons d'htc ou de silicium places dans le plasma sur la densite des radicaux. Les resultats obtenus ont apporte deux grandes conclusions. D'une part le fluor atomique est le principal responsable des processus de gravure de l'htc : les atomes de fluor fixes sur cette surface induisent la desorption de molecules cf x et hf. D'autre part, les rayonnements vuv du plasma accroissent la reactivite de la surface de polymere vis-a-vis des atomes de fluor. Ceci a pu etre demontre grace a l'utilisation d'une lampe vuv emettant des photons jusqu'a une longueur d'onde de 115 nm.