Abstract FR:

Un nouveau systeme de masquage pour microlithographie, sensible en uv profonde, a ete etudie. Sa composition originale fait intervenir un polymere methacrylique modifiable par acidolyse photoamorcee en presence de tosylate de benzoine. Cette resine est developpable en negatif par voie humide, en positif par plasma d'oxygene apres mise en uvre d'un procede de silylation selective. L'evaluation des performances microlithographiques a demontre dans les deux cas la faisabilite d'une resolution submicronique