Abstract FR:

Des structures multicouches w/a-sinx:h appliquees a la realisation d'un capteur capacitif ont ete deposees par pecvd basse frequence. Une etude microstructurale du nitrure de silicium amorphe hydrogene a ete conduite par xps, aes et irtf, ainsi que par ellipsometrie et absorption uv: des caracterisations electriques ont ete menees sur une sequence mim. L'adherence des couches de w sur le dielectrique a ete amelioree par le depot d'une couche de wsix a l'interface w/a-sinx:h. Les proprietes electriques des materiaux conducteurs ont ete etudiees: leurs modifications structurales ont ete mises en evidence par xrd, xps et aes. Une etude menee par hrem et aes d'une sequence a-sinx:h/w/wsix/a-sinx:h a montre la presence d'interphases wsixnyoz et wnx entre wsix/a-sinx:h et a-sinx:h/w respectivement