Abstract FR:

L'analyse des caracteristiques electriques des transistors bipolaires dont l'emetteur est constitue d'un materiau en silicium amorphe hydrogene (a-si:h) montre que le facteur d'idealite du courant de base i#b est lie en grande partie aux etats d'interface de la jonction emetteur-base. La qualite de celle-ci determine les performances du transistor. Pour comprendre les mecanismes de conduction mis en jeux dans ces structures, nous avons d'abord developpe un modele semi-numerique qui nous a permis de retrouver les caracteristiques i#b(v#b#e) et d'analyser l'effet d'un certain nombre de parametres physiques et technologiques sur les performances des dispositifs realises. Afin d'eviter les approximations qui etaient a l'origine de discordes entre les courbes experimentales et theoriques a forts niveaux d'injection, pour tenir compte de tous les parametres physiques du materiau a-si:h et pour batir un modele plus general et applicable a d'autres structures, nous avons developpe un modele entierement numerique de la conductivite de la couche a-si:h et de la conduction electrique dans l'heterojonction emetteur-base des transistors realises. A partir de l'analyse de l'influence des differents parametres physiques ce modele nous a permis de trouver une bonne concordance entre les courbes simulees et experimentales et de mettre en evidence l'importance des liaisons pendantes dans les mecanismes de conduction dans le a-si:h ainsi que le role nefaste joue par les etats d'interface sur les performances des transistors