Abstract FR:

Nous avons surtout utilise le mode "haute resolution" sur un microscope a 200kv. La resolution obtenue etait de 2. 4 a. La technique de peparation d'echantillons que nous avons mise au point pour l'etude du procede de passivation (si::(3)n::(4)/gaas) nous a permis de caracteriser dans de tres bonnes conditions les multicouches pour rayons x mous et les heterostructures de croissance epitaxiale. Ce travail fut un suivi des procedes en conjugaison avec d'autres techniques de caracterisation. La comparaison des resultats de ces diverses techniques nous a permis d'apprehender la chimie et la physique des interfaces dans les materiaux etudies