Abstract FR:

On a mesure le courant electronique qui circule a travers les barrieres de gaalas enterrees dans du gaas dope n#+ et des heterostructures de gainp dopees n sur du gaas dope n#+, obtenues par epitaxie par jets moleculaires ou par deposition en phase vapeur. On a etudie ces variations avec le champ electrique et la temperature dans la gamme 300 - 70 k. L'analyse des resultats montre que le transport a basse temperature (au-dessous de 150 k) a lieu par effet tunnel et suit la loi de fowler-nordheim. Les resonances dues aux reflexions de l'onde electronique sur les interfaces ont ete observees et on a pu en rendre compte quantitativement pour la premiere fois. A haute temperature, le transport est domine par un mecanisme induit par les defauts presents au voisinage de l'interface. Ce mecanisme a ete explicite grace a l'effet poole-frenkel et le defaut responsable a ete identifie. Verification a ete faite en introduisant des defauts de facon controlee par irradiation electronique