Abstract FR:

Piégeage du positon dans l'arséniure de gallium : mise en évidence de lacunes et d'ions chargée négativement. On utilise la mesure du temps du positon pour caractériser les défauts de type lacunaire dans GaAs brut de croissance et GaAs irradié aux électrons. Le temps de vie du positon augmente de 230±2 ps jusqu'O 258±4 ps et 295±5 ps en présence de lacunes natives détectées dans GaAs de type n. Nous montrons que les lacunes natives changent de configuration quand le niveau de Fermi traverse des niveaux d'énergie localisés dans la bande interdite 0 0. 035±0. 005 eV et 0 0. 10±0. 02 eV du bas de la bande de conduction Ec. Nous identifions les lacunes natives à des lacunes d'arsenic VAs associées ou non à d'autres défauts ponctuels. Nous attribuons les transitions contrôlées par le niveau de Fermi aux changements d'état de charge v2- As -->v-As et v-As--> V0As. Le temps de vie du positon augmente de 230±2 ps jusqu'O 260±5 ps en présence de lacunes introduites par irradiation 0 basse température. La mesure de temps de vie du positon nous permet de mettre aussi en évidence que l'irradiation introduit des ions négatifs. Dans GaAs semi-isolant dans l'état irradié,ces ions piègent les positons en compétition avec les lacunes introduites par l'irradiation. Cette propriété montre que les lacunes introduites par irradiation sont chargées négativement. Notre étude est la première 0 montrer de manière directe que dans GaAs l'irradiation 0 basse température introduit des ions et des lacunes ayant des niveaux accepteurs localisés dans la moitié inférieure du gap. Les lacunes présentent deux stades de recuit entre 180K-300K et 300K-600K. Les ions ne présentent pas de stade de recuit en dessous de l'ambiante. Nous identifions respectivement les lacunes et les ions négatifs introduits par irradiation 0 des lacunes de gallium VGa et 0 des antisites de gallium GaAs.