Abstract FR:

Ce memoire presente une methode d'epitaxie de couches minces de tellurure de cadmium-mercure (hg#1#-#xcd#xte) sur des substrats de tellurure de cadmium (cdte), utilisant le phenomene d'ablation (ealp) d'une cible par un laser a excimeres. Cette couche d'indice de refraction plus eleve que le substrat peut constituer un guide d'onde infrarourouge de bonne qualite. Dans un premier temps nous avons fabrique des couches minces a partir d'une cible de cdte. Cette etape nous a permis de determiner la plage de temperature de substrat pour laquelle les couches sont stchiometriques et epitaxiees. Ensuite, en utilisant des cibles de hg#1#-#xcd#xte, nous avons etudie la croissance des couches d'alliage. Aux temperatures de substrat compatibles avec une croissance epitaxiale, les couches elaborees sous vide ne conservent plus la composition de la cible, le mercure se reevapore au cours de la croissance. Si l'on evapore la cible sous pression de mercure, les couches deposees a des temperature permettant l'epitaxie ont une composition voisine de celle de la cible. Pour ameliorer la qualite cristalline des couches, nous avons etudie l'influence de differents parametres tels que temperature de substrat, pression de mercure et vitesse de croissance. La caracterisation structurale des meilleures couches obtenues montre qu'elles sont epitaxiees mais d'une qualite moyenne. La derniere partie de ce travail est consacree a la caracterisation optique des couches par deux methodes differentes. Elles utilisent l'emission infrarouge d'un laser co#2, l'une utilise le couplage par prisme de haut indice de refraction dans un guide d'onde, l'autre est basee sur l'etude du coefficient de reflexion en fonction de l'angle d'incidence, l'ensemble air-couche-substrat constituant une stratification a trois milieux. La combinaison des deux methodes permet de determiner l'epaisseur des couches minces et l'indice de refraction qui est lie a la composition chimique de la couche.