Abstract FR:

Ce travail a pour theme l'etude des densites d'etats aux interfaces profondes. Les methodes utilisees sont, pour l'analyse des etats de valence, la spectroscopie d'emission x induite par electrons et pour l'analyse des etats de conductibilite les spectroscopies d'isochromate. Les etats de valence a l'interface entre deux metaux, ni-al et entre deux semiconducteurs iii-v gaas-algaas sont etudiees et les modifications observees par rapport aux materiaux massifs sont discutees en liaison avec les calculs de densite d'etats existants. Le melange d'etats entre atomes voisins est clairement mis en evidence ainsi que la presence de defauts a l'interface des semiconducteurs iii-v. La decroissance radiative d'un exciton de cur al1s est observee pour les semiconducteurs etudies. La variation d'energie du pic excitonique est discutee en liaison avec les modifications de densites d'etats. Pour un super reseau gaas-al#0#,#3 ga#0#,#7as une localisation partielle des etats de l'aluminium est observee. Elle traduit le caractere bidimensionnel de ce systeme. La spectroscopie d'isochromate caracteristique appliquee aux systemes ag-si et ag-sio#2-si a permis de mettre en evidence une couche de quelques nanometres de compose situee a une interface profonde. Les spectres d'isochromates obtenus pour d'autres composes montrent que ce type de spectroscopie peut etre utilisee de maniere tres generale pour l'etude des etats de conductibilite des surfaces et des interfaces