Abstract FR:

Une nouvelle methode spectroscopique, appelee spectroscopie d'excitation de la resonance cyclotron, a ete developpee et appliquee a des echantillons du compose semiconducteur tellurure de cadmium (cdte). Les porteurs libres crees par une excitation laser sont detectes par l'intermediaire de leur resonance cyclotron a 35 ghz, ce qui permet d'obtenir le spectre de photoconductivite des echantillons sans faire des contacts electriques. Des echantillons cristallins massifs, des couches minces epitaxiees et des puits quantiques cdte/cdznte ont ete etudies. En ce qui concerne le cdte massif, une analyse de la forme de la raie de resonance cyclotron des photo-electrons montre la presence simultanee dans un meme echantillon de regions a mobilite tres elevee et de regions a mobilite dix fois moins elevee; ceci est attribue a une inhomogeneite de la concentration des impuretes acceptrices. Le spectre d'excitation de la resonance cyclotron, tres complexe, est surtout etudie dans la plage d'energies pres du gap, ou le photon incident donne lieu a un polariton excitonique dans le cristal. La creation efficace de photo-electrons dans cette plage est attribuee a deux mecanismes principaux: la diffusion inelastique de polaritons sur les donneurs neutres et l'annihilation de polaritons par des accepteurs ionises. En ce qui concerne les puits quantiques, il est demontre que cette technique hyperfrequence permet de detecter les porteurs crees dans le puits par une excitation optique. On constate encore dans ce cas l'importance des mecanismes excitoniques de creation de porteurs. Dans le spectre d'excitation d'un puits, les excitons donnent lieu a une serie de raies discretes, qui sont analysees a l'aide de deux descriptions des etats quantifies des excitons: la quantification du centre de masse et la quantification separee des porteurs