Abstract FR:

Ce travail concerne l'etude d'absorbants saturables semiconducteurs irradies par des ions pour la realisation de composants optoelectroniques rapides. Dans un premier temps, j'ai etudie l'effet de l'irradiation d'echantillons d'arseniure de gallium massif sur la reduction de la duree de vie des porteurs. La duree de vie des porteurs photoexcites peut etre ajustee et reduite dans le domaine picoseconde en variant la dose d'irradiation. Les ions lourds (au+) creent des agregats de defauts dont 10% seulement participent a la capture. Les ions legers (h+) creent en moyenne plus de defauts par deplacement induit et sont donc plus efficaces pour creer des defauts actifs pour la capture des porteurs. Dans un deuxieme temps, j'ai etudie la possibilite d'utiliser ces absorbants saturables ultra-rapides pour realiser une application d'echantillonnage tout-optique et ainsi mesurer le profil temporel d'impulsions picosecondes emises par des diodes lasers. En collaboration avec thales-lcr, j'ai tout d'abord etudie le fonctionnement de diodes lasers a puits quantiques en regime de commutation de gain. Une optimisation du pompage electrique a permis d'obtenir des impulsions d'une duree de 45 ps, d'une puissance crete de 2w, d'energie par impulsion de 90 pj et de gigue temporelle integree de 1,2 ps. Ensuite, j'ai montre que les absorbants saturables rapides permettent de realiser un systeme d'echantillonnage tout-optique d'impulsions emises par des diodes lasers, presentant une resolution temporelle de 4 ps et un contraste sur les profils temporels obtenus de 20 db. Ce travail constitue une demonstration de l'utilisation d'absorbants saturables rapides irradie par des ions dans une application d'optoelectronique picoseconde.