Abstract FR:

La structure cristallographique des principaux defauts presents dans les lingots bruts de silicium polycristallin de type polix a ete etudiee par microscopie electronique en transmission (met). Une methode analytique a permis de determiner de facon tres precise des parametres qui caracterisent les joints de grains et les sous-joints. Les precipites presents dans ce materiau ont ete egalement caracterises. Parallelement a cette description structurale, l'activite electrique de ces defauts a ete etudiee au moyen de la microscopie electronique a balayage (meb) par la technique du courant induit par faisceau d'electrons (ebic). Des mesures quantitatives de vitesses de recombinaison des porteurs de charge electrique minoritaires sur les defauts ont ete realisees. Il a ete mis en evidence le role determinant des facteurs chimiques, la segregation d'impuretes et surtout la precipitation sur l'activite ebic des defauts. Ces phenomenes sont cependant modules par les facteurs structuraux