Abstract FR:

L'heteroepitaxie pbse sur si est realisee par epitaxie par jets moleculaires en utilisant des couches d'adaptation en caf#2 et baf#2 qui ont pour but de resorber le desaccord de parametre de maille (environ douze pourcent) et la difference des coefficients d'expansion thermique (un facteur huit entre le pbse et le si). Dans ce travail, nous nous interessons a l'identification et a l'interpretation des mecanismes de la croissance de ces composes. On s'attache en particulier a determiner les conditions permettant d'elaborer un materiau pbse, dont les proprietes structurales et electriques, sont optimales pour la realisation de detecteurs infra-rouge. L'utilisation de la microscopie electronique en transmission nous permet d'etudier les proprietes structurales ainsi que leur variation avec les parametres de croissance (en particulier la structure des couches d'adaptation en fluorures). Par exemple, dans le cas du systeme caf#2/si, nous etudions l'evolution de la contrainte residuelle avec l'epaisseur. Les observations experimentales permettent d'identifier un mode de croissance pseudomorphique et une epaisseur critique comprise entre vingt et soixante angstroems. La reduction des defauts presents dans la couche pbse est clairement dependante de la qualite cristalline et de l'epaisseur des couches d'adaptation. Ces resultats sont correles et completes par des observations de microscopie a force atomique et des analyses metallographiques