Abstract FR:

Dans ce travail de these, nous avons etudie la structure electronique des lamellaires massifs gase et inse ainsi que leurs interfaces avec si(111). Les structures de bandes des composes massifs ont ete decrites en utilisant la methode des liaisons fortes. Les parametres d'interaction ou les elements de la matrice hamiltonien ont ete obtenus en ajustant des valeurs propres calculees a des resultats obtenus par une approche en pseudopotentiels. Pour obtenir un tres bon ajustement, nous avons procede par la minimisation d'une fonction des moindres carres par la methode des gradients conjugues. Les resultats obtenus permettent d'etablir des relations de dispersion et des courbes de densites d'etats en accord avec les resultats de photoemission. La photoemission inverse resolue en k, recemment appliquee a l'etude de ces lamellaires fournit des resultats limites auxquels se comparent les notres en ajoutant une orbitale s* a la base sp 3 de nos fonctions d'ondes atomiques. Nous avons explique et discute les variations des parametres d'interaction par rapport a leurs valeurs initiales, determinees a partir de la loi d'echelle, en considerant la symetrie des lamellaires etudies. L'etude des heterostructures gase/si(111) et inse/si(111) a ete faite avec les parametres obtenus pour les composes massifs. Les offsets ont ete determines par une procedure simple qui repose sur la condition de charge neutre pour chaque heterojonction. Cette methode qui integre parfaitement les modifications s'operant a l'interface, notamment les transferts de charges, a donne des resultats en tres bon accord avec l'experience. Nous avons ainsi montre que le resultat ne depend pas du polytype depose sur le substrat et que l'interface inse/si pouvait etre simulee sur la base des donnees cristallographiques de gase/si qui a ete etudiee en ondes x stationnaires.