Abstract FR:

Cette thèse porte sur la caractérisation électronique des hétérojonctions entre silicium cristallin et silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H/c-Si), qui constituent le cœur d'un nouveau type de cellules photovoltaïques, en vue de leur optimisation. Pour atteindre ce but, un code numérique a été développé. Il permet de prédire les caractéristiques électriques et toutes les variables internes à la structure en régime statique. Le modèle implémenté prend en compte les défauts d'interface permettant ainsi d'évaluer leur incidence sur le comportement de la cellule. En plus, un code de simulation numérique en état dynamique (harmonique) a aussi été inclus pour pouvoir calculer l'impédance des structures, dans l'obscurité et sous illumination, la mesure d'impédance étant une technique de caractérisation importante pour les hétéro-interfaces. Pour finir, on a utilisé le code de simulation développé pour étudier et analyser des structures à hétérojonction a-Si:H/c-Si. Cette analyse concerne principalement la caractérisation de l'interface à l'hétérojonction. Pour cela, deux techniques de caractérisation ont été étudiées : les mesures de capacité de diffusion, et les mesures de photoluminescence. On compare la sensibilité de chaque méthode pour détecter les défauts d'interface tout en variant les propriétés des structures utilisées.