Abstract FR:

Le but de cette etude est d'observer les mecanismes de la recristallisation en phase solide du semi-conducteur znse. L'influence des defauts etendus ainsi que celle les defauts ponctuels introduits par recuit non stchiometrique sont constatees. Le materiau initial est constitue de znse polycristallin obtenu par condensation sur un substrat du produit de la reaction d'un flux de h 2se sur du zn fondu. Ce materiau est soumis a divers traitements thermomecaniques de recristallisation. La presence en quantite variable de certaines heterogeneites chimiques est mise en evidence et influe sur la croissance des grains. L'existence d'un taux de deformation critique est demontree. L'existence d'une texture cristallographique induit une anisotropie de croissance des grains. L'etat de maclage est egalement affecte par les relations d'orientations que rencontre le grain en croissance. Les conditions de recuits ayant ete mises en uvre (atmosphere se ou zn) ont montre l'influence determinante de l'atmosphere de recuit sur la recristallisation (initiation, processus, cinetique et microstructure finale). L'ensemble des differences en recristallisation est attribue a la presence de defauts ponctuels. La spectroscopie d'annihilation des positons, la photoluminescence et la transmission optique permettent d'impliquer la lacune de zinc qui favorise la recristallisation. De large monocristaux (quelques cm 3) peuvent alors etre obtenus. L'influence des defauts ponctuels est egalement demontree dans le cas du zns. Les caracteristiques de la recristallisation liees aux defauts etendus sont similaires a celles rapportees pour divers metaux. Les effets originaux sont lies a la presence des defauts ponctuels.