Contributions a l'etude des heterostructures de type ii inp-(alin)as
Institution:
Paris 6Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Lorsqu'ils sont associes, les materiaux inp et (al#0#. #4#8in#0#. #5#2)as forment une heterostructure de type ii, puisque les electrons sont confines dans inp et les trous dans l'alliage ternaire. Bien que les recombinaisons radiatives proviennent uniquement du recouvrement des parties evanescentes des fonctions d'ondes, ce systeme offre d'excellentes proprietes optiques: un grand rendement radiatif, dans une gamme de longueur d'onde aisement accessible a l'experimentateur (autour de 1 m). En particulier, ce rendement radiatif a permis d'observer une emission laser dans un superreseau, sous un pompage optique de puissance raisonnable. Grace a l'etude detaillee d'interfaces simples et de superreseaux inp-(alin)as crus par mo-cvd, il est montre experimentalement: d'une part, que les offsets inp-(alin)as et (alin)as-inp different de 100 mev; d'autre part, que dans la trilogie inp-(alin)as-(inga)as, la loi de transitivite sur les offsets de valence moyens est violee de plus de 100 mev. Enfin une etude preliminaire des effets electrooptiques dans les superreseaux est presentee