Abstract FR:

Nous avons etudie par spectroscopie de transitoires capacitifs et resonance paramagnetique electronique le niveau profond introduit par dopage d'une impurete de type donneur dans les alliages de gaalas. Les echantillons sur lesquels cette etude a ete faite, de composition d'alliage variable, provenaient de diverses sources: thomson-lcr, radiotechnique compelec et universite de sheffield. Ils etaient dopes a differents niveaux par les impuretes se, te, si, sn et li. Nous avons montre que le niveau profond associe au donneur, appele centre dx, est lie a la bande l. L'etude de la variation du taux d'emission avec le champ electrique a montre que la transition correspondant a cette emission est une transition d'un etat neutre vers un etat positif et que la fonction d'onde n'est pas tres localisee. Nous avons aussi montre, par l'etude de la barriere associee a la capture en fonction de la composition d'alliage et du remplissage de la bande de conduction, que la capture d'un electron se fait par la bande l. Nous avons aussi explique les phenomenes lies a l'effet apparent de metastabilite de ce centre. Tous ces resultats sont expliques simplement dans un modele ou le centre dx n'est autre que l'etat de masse effective de la bande l qui est rendu profond par mixage entre les differentes vallees de cette bande l