Abstract FR:

Les depots de siliciures metalliques sont tres utilises en microelectronique pour la realisation de contacts. Nous avons etudie par microscopie electronique en transmission le systeme ptsi/si. Apres le traitement thermique de siliciuration, nos couches presentent en general la sequence suivante: si/ptsi/oxyde/pt, avec une interface abrupte et une bonne adherence du ptsi. Dans certains cas, une fraction importante des grains de ptsi sont orientes preferentiellement selon les deux relations d'epitaxie observees usuellement sur si(001) ou selon des relations (appelees flexions) induisant l'une de ces deux relations dans l'un des plans (010)si ou (100)si (il s'agit ainsi d'un accord en volume entre ptsi et si). Le reste des grains se repartit selon deux textures. Les differentes caracteristiques de ces couches varient en fonction des parametres etudies (dopage du substrat, epaisseur de platine entre 20 et 450 a, traitement thermique). Au vu de ces resultats nous avons propose un mecanisme de formation du ptsi associant les relations d'epitaxie a la diffusion du platine dans le silicium et les textures a la diffusion du silicium dans le siliciure