Abstract FR:

L'epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organometallique (omcvd) des alliages ii-vi cdhgte et cdmnte sur substrats gaas et cdinte est realisee. La croissance de cdmnte est effectuee a l'aide du procede classique alliage direct a 365c. Celle de cdhgte est realisee a plus basse temperature (300c) et en utilisant une nouvelle methode basee sur la separation des flux de precurseurs, appeles vip (vapor interdiffusion process). Deux domaines d'etude relatifs a la technique d'epitaxie par omcvd sont abordes. Le premier concerne l'hydrodynamique et la modelisation des ecoulements gazeux dans le reacteur ; des simulations de profils de vitesse, de concentrations et de vitesse de croissance sont realisees dans une geometrie proche de celle utilisee experimentalement. La seconde etude est relative a la reflectance anisotrope spectroscopique, outil de diagnostic in situ de la croissance omcvd. Enfin des heterostructures ii-vi sont preparees et etudiees. Il s'agit d'abord des structures cdhgte a modulation de dopage, dont la photoconductivite a ete mesuree puis calculee theoriquement en fonction de la temperature. Ont ete deposees ensuite des structures a confinement quantique cdte/cdmnte, qui ont ete caracterisees en photoluminescence