Abstract FR:

Ce travail traite de la caracterisation par microscopie electronique a balayage des heterostructures laser iii-v. Il porte sur l'evolution des proprietes de transport des porteurs minoritaires lors des etapes de fabrication et pendant le fonctionnement du dispositif, a l'aide de la catholuminescence (cl) et du courant induit par faisceau d'electrons (ebic). Nous proposons une nouvelle expression analytique pour la generation de porteurs, applicable aux materiaux de numero atomique compris entre 13 et 60, et une solution pour l'equation de diffusion qui tient compte de l'influence de la surface et des interfaces. Nous comparons des couches simples elaborees par differentes methodes d'epitaxie (jet moleculaire, depot chimique d'organometalliques, et phase liquide) et nous analysons les problemes associes a la caracterisation par cl d'heterostructures laser, notamment les phenomenes de recyclage des photons dans la couche active et de derive des porteurs dans la region de charge d'espace. Nous proposons une methode d'observation basee sur l'autopolarisation de la jonction, qui permet l'etude des proprietes electriques de l'heterojonction meme en l'absence des contacts metalliques. Nous l'utilisons pour controler la qualite des etapes de fabrication du composant. Nous presentons une methode de simulation et d'observation de la degradation pendant le fonctionnement du composant qui permet d'etablir le role des impuretes et des contraintes introduites au cours des etapes de fabrication. Nous proposons un modele decrivant l'origine de la degradation de lasers gaa1as a puits quantique, expliquant la formation de centres de recombinaisons non radiatives dans la region active du laser et a son voisinage